Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.2264 EUR
Availability: InStock

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TPH1R712MD,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPH1R712MDL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPH1R712MDL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH1R712MD,L1Q
Descripción	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH1R712MD,L1Q Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 182 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) ±12V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10900 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 60A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Número de producto base TPH1R712
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm a 30A, 4.5V