Name: TPC8129,LQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPC8129,LQ(STR-ND
Price: 1.0406 EUR
Availability: InStock

TPC8129,LQ(S
N.º de producto de DigiKey	264-TPC8129,LQ(STR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPC8129,LQ(SCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPC8129,LQ(SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPC8129,LQ(S
Descripción	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) 8-SOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPC8129,LQ(S Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1650 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	TPC8129

Precio unitario sin IVA:	0,86000 €
Precio unitario con IVA:	1,04060 €

TPC8129,LQ(S