Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 2.057 EUR
Availability: InStock

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TK6R9P08QM,RQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK6R9P08QM,RQ
Descripción	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 62A (Tc) 89W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK6R9P08QM,RQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	62A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.9mOhm a 31A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63