Name: TK6R8A08QM,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R8A08QMS4X-ND
Price: 2.1296 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 80 V 58A (Tc) 41W (Tc) TO-220SIS

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TK6R8A08QM,S4X
N.º de producto de DigiKey	264-TK6R8A08QMS4X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK6R8A08QM,S4X
Descripción	UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 80 V 58A (Tc) 41W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK6R8A08QM,S4X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	58A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.8mOhm a 29A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	1,76000 €	1,76 €
50	0,85140 €	42,57 €
100	0,76260 €	76,26 €
500	0,60706 €	303,53 €
1.000	0,55702 €	557,02 €
2.000	0,51493 €	1.029,86 €
5.000	0,48583 €	2.429,15 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.