Name: TK6R7P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6R7P06PLRQTR-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: InStock

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TK6R7P06PL,RQ
N.º de producto de DigiKey	TK6R7P06PLRQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK6R7P06PLRQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK6R7P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK6R7P06PL,RQ
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 46A (Tc) 66W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK6R7P06PL,RQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 300µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1990 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 66W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 46A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base TK6R7P06
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.7mOhm a 23A, 10V