Name: TK5R1P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5R1P08QMRQTR-ND
Price: 2.5773 EUR
Availability: InStock

TK5R1P08QM,RQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK5R1P08QMRQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK5R1P08QMRQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK5R1P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK5R1P08QM,RQ
Descripción	UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK5R1P08QM,RQ Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	84A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.1mOhm a 42A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 700µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3980 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Precio unitario sin IVA:	2,13000 €
Precio unitario con IVA:	2,57730 €

TK5R1P08QM,RQ