Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 4.0172 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

TK55S10N1,LQ
N.º de producto de DigiKey	TK55S10N1LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK55S10N1LQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK55S10N1,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK55S10N1,LQ Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 500µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3280 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 157W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK+
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 55A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base TK55S10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.5mOhm a 27.5A, 10V