Name: TK4R9E15Q5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Price: 6.2315 EUR
Availability: InStock

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TK4R9E15Q5,S1X
N.º de producto de DigiKey	264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK4R9E15Q5,S1X
Descripción	150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 2.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7820 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	5,15000 €	5,15 €
50	2,72320 €	136,16 €
100	2,48950 €	248,95 €
500	2,08258 €	1.041,29 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.