TK430A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage | Productos de semiconductores discretos

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TK430A60F,S4X(S
N.º de producto de DigiKey	264-TK430A60FS4X(S-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK430A60F,S4X(S
Descripción	MOSFET N-CH
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 13A (Ta) 45W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	430mOhm a 6.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1.75mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1940 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo

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