Name: TK40E06N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40E06N1S1X-ND
Price: 1.8634 EUR
Availability: OutOfStock

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TK40E06N1,S1X
N.º de producto de DigiKey	TK40E06N1S1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK40E06N1,S1X
Descripción	MOSFET N-CH 60V 40A TO220
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 40A (Ta) 67W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK40E06N1,S1X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10.4mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 300µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1700 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	67W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	TK40E06

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100	0,65750 €	65,75 €
500	0,52018 €	260,09 €
1.000	0,47599 €	475,99 €
2.000	0,43884 €	877,68 €
5.000	0,40270 €	2.013,50 €

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