Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 2.057 EUR
Availability: InStock

TK3P80E,RQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK3P80E,RQ
Descripción	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.9Ohm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 300µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2.000	0,47686 €	953,72 €
4.000	0,44429 €	1.777,16 €

Precio unitario sin IVA:	1,70000 €
Precio unitario con IVA:	2,05700 €

TK3P80E,RQ