Name: TK2R4E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R4E08QMS1X-ND
Price: 2.51027 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Orificio pasante 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) TO-220

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TK2R4E08QM,S1X
N.º de producto de DigiKey	264-TK2R4E08QMS1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK2R4E08QM,S1X
Descripción	UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK2R4E08QM,S1X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.44mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 2.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	13000 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3

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