Name: TK290P60Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK290P60YRQTR-ND
Price: 3.1944 EUR
Availability: InStock

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TK290P60Y,RQ
N.º de producto de DigiKey	TK290P60YRQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK290P60YRQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK290P60YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK290P60Y,RQ
Descripción	MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 11.5H (Tc) 100W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK290P60Y,RQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 450µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25 nC @ 10 V
Serie DTMOSV	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 730 pF @ 300 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 100W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11.5H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base TK290P60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 290mOhm a 5.8A, 10V