Name: TK25N60X,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK25N60XS1F-ND
Price: 6.6066 EUR
Availability: InStock

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TK25N60X,S1F
N.º de producto de DigiKey	TK25N60XS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK25N60X,S1F
Descripción	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK25N60X,S1F Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV-H
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	125mOhm a 7.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2400 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	TK25N60

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	5,46000 €	5,46 €
30	3,11467 €	93,44 €
120	2,59942 €	311,93 €
510	2,25210 €	1.148,57 €

Paquete estándar del fabricante

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