TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage | Productos de semiconductores discretos

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TK16J60W,S1VQ
N.º de producto de DigiKey	TK16J60WS1VQ-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK16J60W,S1VQ
Descripción	MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 15.8 A (Ta) 130W (Tc) TO-3P(N)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK16J60W,S1VQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	190mOhm a 7.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 790µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1350 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P(N)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	TK16J60

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