Name: TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16G60WRVQTR-ND
Price: 8.7604 EUR
Availability: InStock

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TK16G60W,RVQ
N.º de producto de DigiKey	TK16G60WRVQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK16G60WRVQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK16G60W,RVQ
Descripción	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 15.8H (Ta) 130W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK16G60W,RVQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.7V a 790µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350 pF @ 300 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 130W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15.8H (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base TK16G60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 7.9A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
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