Name: TK12A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK12A60W,S4VX-ND
Price: 4.9731 EUR
Availability: InStock

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TK12A60W,S4VX
N.º de producto de DigiKey	264-TK12A60W,S4VX-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK12A60W,S4VX
Descripción	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 11.5A (Ta) 35W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK12A60W,S4VX Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	300mOhm a 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	890 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK12A60

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	4,11000 €	4,11 €
50	2,13420 €	106,71 €
100	1,94250 €	194,25 €
500	1,60700 €	803,50 €
1.000	1,54386 €	1.543,86 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.