Name: TK12A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12A60D(STA4QM)-ND
Price: 3.751 EUR
Availability: InStock

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TK12A60D(STA4,Q,M)
N.º de producto de DigiKey	TK12A60D(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK12A60D(STA4,Q,M)
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 12A (Ta) 45W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	550mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK12A60

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	3,10000 €	3,10 €
50	1,56920 €	78,46 €
100	1,42060 €	142,06 €
500	1,16020 €	580,10 €
1.000	1,07656 €	1.076,56 €
2.000	1,05372 €	2.107,44 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.