Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 3.2307 EUR
Availability: InStock

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TJ90S04M3L,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TJ90S04M3L,LQ
Descripción	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 90H (Ta) 180W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 172 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) +10V, -20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7700 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 180W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 90H (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK+
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.3mOhm a 45A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63