Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 3.0734 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

TJ90S04M3L,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TJ90S04M3L,LQ
Descripción	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.3mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7700 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63