Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 1.9844 EUR
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 60 V 8H (Ta) 27W (Tc) DPAK+

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
N.º de producto de DigiKey	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Descripción	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 8H (Ta) 27W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) +10V, -20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 890 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 27W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK+
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8H (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base TJ8S06
Rds On (máx) @ Id, Vgs 104mOhm a 4A, 10V