Name: SSM6K819R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLXHFTR-ND
Price: 1.6456 EUR
Availability: InStock

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SSM6K819R,LXHF
N.º de producto de DigiKey	264-SSM6K819RLXHFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM6K819RLXHFCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM6K819RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6K819R,LXHF
Descripción	AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) 6-TSOP-F
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6K819R,LXHF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25.8mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1110 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP-F
Paquete / Caja (carcasa)	6-SMD, conductores planos
Número de producto base	SSM6K819