Name: SSM6K517NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K517NULFTR-ND
Price: 0.726 EUR
Availability: InStock

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SSM6K517NU,LF
N.º de producto de DigiKey	264-SSM6K517NULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM6K517NULFCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM6K517NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6K517NU,LF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 6A (Ta) 1.25W (Ta) 6-UDFNB (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6K517NU,LF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +12V, -8V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 310 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.25W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 6-UDFNB (2x2)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-WDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 39.1mOhm a 2A, 4.5V	Número de producto base SSM6K517

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Documentos y medios

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Cinta y rollo (TR)