Name: SSM6J808R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J808RLXHFTR-ND
Price: 1.2221 EUR
Availability: InStock

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SSM6J808R,LXHF
N.º de producto de DigiKey	264-SSM6J808RLXHFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM6J808RLXHFCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM6J808RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6J808R,LXHF
Descripción	AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) 6-TSOP-F
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6J808R,LXHF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	35mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1020 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP-F
Paquete / Caja (carcasa)	6-SMD, conductores planos
Número de producto base	SSM6J808