Name: SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J507NULFTR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

SSM6J507NU,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM6J507NULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM6J507NULFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM6J507NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6J507NU,LF
Descripción	MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) 6-UDFNB (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6J507NU,LF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1150 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-UDFNB (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Número de producto base	SSM6J507

Precio unitario sin IVA:	0,65000 €
Precio unitario con IVA:	0,78650 €

SSM6J507NU,LF