Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6H19NULFTR-ND
Price: 0.5566 EUR
Availability: InStock

SSM6H19NU,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM6H19NULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM6H19NULFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM6H19NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6H19NU,LF
Descripción	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) 6-UDFN (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6H19NU,LF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	185mOhm a 1A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	130 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-UDFN (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	SSM6H19

Precio unitario sin IVA:	0,46000 €
Precio unitario con IVA:	0,55660 €

SSM6H19NU,LF