Name: SSM5N15FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND
Price: 0.3993 EUR
Availability: InStock

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SSM5N15FE(TE85L,F)
N.º de producto de DigiKey	264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM5N15FE(TE85L,F)CT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM5N15FE(TE85L,F)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM5N15FE(TE85L,F)
Descripción	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) ESV
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM5N15FE(TE85L,F) Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 100µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7.8 pF @ 3 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	ESV
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-553
Número de producto base	SSM5N15