Name: SSM3K56MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K56MFVL3FTR-ND
Price: 0.4114 EUR
Availability: InStock

SSM3K56MFV,L3F
N.º de producto de DigiKey	SSM3K56MFVL3FTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K56MFVL3FCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K56MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K56MFV,L3F
Descripción	MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) VESM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K56MFV,L3F Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	800mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	235mOhm a 800mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	55 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	VESM
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-723
Número de producto base	SSM3K56

Precio unitario sin IVA:	0,34000 €
Precio unitario con IVA:	0,41140 €

SSM3K56MFV,L3F