Name: SSM3K376R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K376RLFTR-ND
Price: 0.3872 EUR
Availability: InStock

SSM3K376R,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3K376RLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K376RLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K376RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K376R,LF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 4A (Ta) 2W (Ta) SOT-23F
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K376R,LF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	56mOhm a 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+12V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	200 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-3 conductores planos
Número de producto base	SSM3K376

Precio unitario sin IVA:	0,32000 €
Precio unitario con IVA:	0,38720 €

SSM3K376R,LF