Name: SSM3K361R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K361RLFTR-ND
Price: 0.3388 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SSM3K361R,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3K361RLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K361RLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K361RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K361R,LF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 3.5A (Ta) 1.2W (Ta) SOT-23F
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K361R,LF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	69mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	430 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-3 conductores planos
Número de producto base	SSM3K361