Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 0.5445 EUR
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SSM3K357R,LF
cms-digikey-product-number	SSM3K357RLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	SSM3K357R,LF
cms-description	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
cms-standard-lead-time	16 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N Montaje en superficie 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
Hoja de datos	Hoja de datos
cms-eda-cad-models	SSM3K357R,LF Modelos

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	650mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	3V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.8Ohm a 150mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60 pF @ 12 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-3 conductores planos
Número de producto base	SSM3K357

cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

En stock: 14.454

cms-incoming-leadtime-link

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)