Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 0.4961 EUR
Availability: InStock

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SSM3K357R,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K357R,LF
Descripción	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K357R,LF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	650mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	3V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.8Ohm a 150mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60 pF @ 12 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-3 conductores planos
Número de producto base	SSM3K357