Name: SSM3K123TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K123TULFTR-ND
Price: 0.6655 EUR
Availability: InStock

SSM3K123TU,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3K123TULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K123TULFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K123TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K123TU,LF
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 4.2A (Ta) 500mW (Ta) UFM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K123TU,LF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28mOhm a 3A, 4V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13.6 nC @ 4 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1010 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	UFM
Paquete / Caja (carcasa)	3-SMD, conductores planos
Número de producto base	SSM3K123

Precio unitario sin IVA:	0,55000 €
Precio unitario con IVA:	0,66550 €

SSM3K123TU,LF