Name: SSM3J66MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND
Price: 0.3388 EUR
Availability: InStock

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SSM3J66MFV,L3F
N.º de producto de DigiKey	264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM3J66MFV,L3FCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM3J66MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J66MFV,L3F
Descripción	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) VESM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3J66MFV,L3F Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	800mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	390mOhm a 800mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+6V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	100 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	VESM
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-723
Número de producto base	SSM3J66