Name: SSM3J35CT,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35CTL3FTR-ND
Price: 0.2904 EUR
Availability: InStock

SSM3J35CT,L3F
N.º de producto de DigiKey	SSM3J35CTL3FTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3J35CTL3FCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3J35CTL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J35CT,L3F
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) CST3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3J35CT,L3F Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8Ohm a 50mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	12.2 pF @ 3 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	CST3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-101, SOT-883
Número de producto base	SSM3J35

Precio unitario sin IVA:	0,24000 €
Precio unitario con IVA:	0,29040 €

SSM3J35CT,L3F