Name: RN4990FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN4990FELF(CTTR-ND
Price: 0.242 EUR
Availability: InStock

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RN4990FE,LF(CT
N.º de producto de DigiKey	RN4990FELF(CTTR-ND - Cinta y rollo (TR) RN4990FELF(CTCT-ND - Cinta cortada (CT) RN4990FELF(CTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	RN4990FE,LF(CT
Descripción	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos prepolarizados 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizado (doble) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Montaje en superficie ES6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RN4990FE,LF(CT Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Arreglos del transistor bipolar, prepolarizados	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300mV a 250µA, 5mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Corriente - Corte de colector (Máx.) 100 nA (ICBO)
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Frecuencia - Transición 250MHz, 200MHz
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 100mW
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizado (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA	Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 50V	Paquete del dispositivo del proveedor ES6
Resistor - Base (R1) 4.7kOhm	Número de producto base RN4990
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 120 a 1mA, 5V

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Clasificaciones medioambientales y de exportación

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
EMH3T2R	Rohm Semiconductor	9.981	EMH3T2RCT-ND	0,48000 €	Similar

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

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Precio unitario con IVA:	0,24200 €

RN4990FE,LF(CT