RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage | Arreglos del transistor bipolar, prepolarizados

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RN1962TE85LF
N.º de producto de DigiKey	RN1962TE85LFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	RN1962TE85LF
Descripción	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos prepolarizados 2 NPN - Prepolarizados (dobles) 50V 100mA 250MHz 500mW Montaje en superficie US6

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Arreglos del transistor bipolar, prepolarizados	Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 50 a 10mA, 5V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300mV a 250µA, 5mA
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Corriente - Corte de colector (Máx.) 100 nA (ICBO)
Estado de pieza Obsoleto	Frecuencia - Transición 250MHz
Tipo de transistor 2 NPN - Prepolarizados (dobles)	Potencia - Máx. 500mW
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 50V	Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistor - Base (R1) 10kOhm	Paquete del dispositivo del proveedor US6
Resistor - Base del emisor (R2) 10kOhm	Número de producto base RN1962

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