Name: RN1901FETE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1901FETE85LFTR-ND
Price: 0.3146 EUR
Availability: OutOfStock

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RN1901FETE85LF
N.º de producto de DigiKey	RN1901FETE85LFTR-ND - Cinta y rollo (TR) RN1901FETE85LFCT-ND - Cinta cortada (CT) RN1901FETE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	RN1901FETE85LF
Descripción	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos prepolarizados 2 NPN - Prepolarizados (dobles) 50V 100mA 250MHz 100mW Montaje en superficie ES6
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Arreglos del transistor bipolar, prepolarizados
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo de transistor	2 NPN - Prepolarizados (dobles)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	100mA
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	50V
Resistor - Base (R1)	4.7kOhm
Resistor - Base del emisor (R2)	4.7kOhm
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	30 a 10mA, 5V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corriente - Corte de colector (Máx.)	100 nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - Máx.	100mW
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor	ES6
Número de producto base	RN1901

Precio unitario sin IVA:	0,26000 €
Precio unitario con IVA:	0,31460 €

RN1901FETE85LF