Name: TK16V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK16V60W5,LVQTR-ND
Price: 5.7475 EUR
Availability: InStock

TK16V60W5,LVQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK16V60W5,LVQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK16V60W5,LVQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK16V60W5,LVQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK16V60W5,LVQ
Descripción	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 15.8 A (Ta) 139W (Tc) 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	245mOhm a 7.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 790µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1350 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 4-VSFN

Precio unitario sin IVA:	4,75000 €
Precio unitario con IVA:	5,74750 €

TK16V60W5,LVQ