MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Productos de semiconductores discretos

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MT3S111TU,LF
N.º de producto de DigiKey	MT3S111TULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) MT3S111TULFCT-ND - Cinta cortada (CT) MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	MT3S111TU,LF
Descripción	RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistor de RF NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Montaje en superficie UFM
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores RF bipolares
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo de transistor	NPN
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	6V
Frecuencia - Transición	10GHz
Cifra de ruido (dB típ. a f)	0.6dB ~ 0.85dB a 500MHz ~ 1GHz
Ganancia	12.5dB
Potencia - Máx.	800mW
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	200 a 30mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	100mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	3-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor	UFM
Número de producto base	MT3S111

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Cinta y rollo (TR)