Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 6.8365 EUR
Availability: InStock

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GT50JR22(STA1,E,S)
N.º de producto de DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	GT50JR22(STA1,E,S)
Descripción	IGBT 600V 50A TO-3P
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT 600 V 50 A 230 W Orificio pasante TO-3P(N)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores IGBT IGBT simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo IGBT	-
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	50 A
Corriente - colector impulsado (Icm)	100 A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic	2.2V a 15V, 50A
Potencia - Máx.	230 W
Energía de conmutación	-
Tipo de entrada	Estándar
Td (encendido/apagado) a 25ºC	-
Condiciones de prueba	-
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P(N)

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	5,65000 €	5,65 €
25	3,31840 €	82,96 €
100	2,76250 €	276,25 €
500	2,35898 €	1.179,49 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.