Name: CSD19532KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19532KTTTR-ND
Price: 3.4001 EUR
Availability: InStock

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CSD19532KTT
N.º de producto de DigiKey	296-CSD19532KTTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 296-CSD19532KTTCT-ND - Cinta cortada (CT) 296-CSD19532KTTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD19532KTT
Descripción	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Plazo estándar del fabricante	6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) TO-263 (DDPAK-3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD19532KTT Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.6mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5060 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (DDPAK-3)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	CSD19532