STS3P6F6 STMicroelectronics | Productos de semiconductores discretos

STS3P6F6
N.º de producto de DigiKey	497-13785-2-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STS3P6F6
Descripción	MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 3 A (Tj) 2.7W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	160mOhm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	340 pF @ 48 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	STS3P

STS3P6F6