Name: STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH65N050DM9-7AGTR-ND
Price: 9.7163 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

STH65N050DM9-7AG
N.º de producto de DigiKey	497-STH65N050DM9-7AGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STH65N050DM9-7AGCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STH65N050DM9-7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH65N050DM9-7AG
Descripción	AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 51A (Tc) 266W (Tc) H2PAK-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	ECOPACK®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	51A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 25.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4680 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	266W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA