Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.4571 EUR
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
N.º de producto de DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH2N120K5-2AG
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STH2N120K5-2AG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	124 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STH2N120