Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.7475 EUR
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
N.º de producto de DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH2N120K5-2AG
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STH2N120K5-2AG Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.3 nC @ 10 V
Fabricante STMicroelectronics	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 124 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 60W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.5A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor H2PAK-2
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10Ohm a 500mA, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 100µA	Número de producto base STH2N120