STH110N7F6-2 STMicroelectronics | Productos de semiconductores discretos

STH110N7F6-2
N.º de producto de DigiKey	STH110N7F6-2-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH110N7F6-2
Descripción	MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STH110N7F6-2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ F6
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	68 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.3mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5850 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STH110

STH110N7F6-2