Canal N Orificio pasante 650 V 4H (Tc) 20W (Tc) TO-220FP
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STF6N65M2

N.º de producto de DigiKey
497-15035-5-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
STF6N65M2
Descripción
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 4H (Tc) 20W (Tc) TO-220FP
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STF6N65M2 Modelos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
9.8 nC @ 10 V
Serie
Vgs (máx.)
±25V
Embalaje
Tubo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
226 pF @ 100 V
Estado de pieza
Obsoleto
Disipación de potencia (Máx.)
20W (Tc)
Tipo FET
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología
Tipo de montaje
Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete / Caja (carcasa)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Número de producto base
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.35Ohm a 2A, 10V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (2)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleN.º de producto de DigiKey Precio por unidad Tipo de reemplazo
STF11N65M2STMicroelectronics0497-15034-5-ND0,73328 €MFR recomendado
IPA80R1K4CEXKSA1Rochester Electronics, LLC1342156-IPA80R1K4CEXKSA1-IT-ND1,91903 €Similar
En stock: 285
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