Name: STD65N160M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD65N160M9TR-ND
Price: 3.5816 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

STD65N160M9
N.º de producto de DigiKey	497-STD65N160M9TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STD65N160M9CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STD65N160M9DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STD65N160M9
Descripción	N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 17A (Tc) 106W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	160mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1239 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	106W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	STD65N