STB36NM60N STMicroelectronics | FET simple, MOSFET

STB36NM60N
N.º de producto de DigiKey	497-12972-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-12972-1-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB36NM60N
Descripción	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 29A (Tc) 210W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB36NM60N Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	105mOhm a 14.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	83.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2722 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB36

Precio unitario sin IVA:	6,82000 €
Precio unitario con IVA:	8,25220 €

STB36NM60N