Name: STB14N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB14N80K5TR-ND
Price: 4.5375 EUR
Availability: InStock

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STB14N80K5
N.º de producto de DigiKey	497-STB14N80K5TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STB14N80K5CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STB14N80K5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB14N80K5
Descripción	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 12A (Tc) 130W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB14N80K5 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ K5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	445mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	620 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB14