Name: STB10LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18732-2-ND
Price: 4.2229 EUR
Availability: InStock

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STB10LN80K5
N.º de producto de DigiKey	497-18732-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-18732-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-18732-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB10LN80K5
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 8A (Tc) 110W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB10LN80K5 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 100µA
Fabricante STMicroelectronics	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ K5	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 427 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 110W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base STB10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 630mOhm a 4A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IRFS9N60APBF	Vishay Siliconix	75	IRFS9N60APBF-ND	4,16000 €	Similar
IXFA10N60P	IXYS	113	IXFA10N60P-ND	5,26000 €	Similar
IXTA10N60P	IXYS	0	IXTA10N60P-ND	2,64437 €	Similar

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	3,49000 €
Precio unitario con IVA:	4,22290 €

STB10LN80K5