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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
GCMX040A120B2H2P | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1560-GCMX040A120B2H2P-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | GCMX040A120B2H2P |
Descripción | 1200V, 40M SIC MOSFET FULL BRIDG |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 56A (Tc) 217W (Tc) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | SemiQ | |
Serie | ||
Embalaje | Caja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 56A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 52mOhm a 40A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 10mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 115nC a 20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3200pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 217W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
En stock: 32
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Caja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 44,82000 € | 44,82 € |
| 10 | 33,96200 € | 339,62 € |
| 100 | 32,23760 € | 3.223,76 € |
| Precio unitario sin IVA: | 44,82000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 54,23220 € |
España